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三星电子1月18日宣布，开始计量业界第一个16Gb(2GB )容量的GDDR6RAM芯片。对于参数，三星表示，GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍，速度也是两倍。即，16GbGDDR6的时隙比特率超过18Gbps，能够得到合计72GB/s的数据传输速率。在生产过程中，三星只响应10nm级过程(10nm~19nm )，据推测可能是14nm。 另一个GDDR6与GDDR5RAM相比，具有电压从1.55V进一步下降1.35V的优点，三星的功耗不会减少35%。...
本文摘要：
三星电子1月18日宣布，开始计量业界第一个16Gb(2GB )容量的GDDR6RAM芯片。对于参数，三星表示，GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍，速度也是两倍。即，16GbGDDR6的时隙比特率超过18Gbps，能够得到合计72GB/s的数据传输速率。在生产过程中，三星只响应10nm级过程(10nm~19nm )，据推测可能是14nm。 另一个GDDR6与GDDR5RAM相比，具有电压从1.55V进一步下降1.35V的优点，三星的功耗不会减少35%。
三星电子1月18日宣布，开始计量业界第一个16Gb(2GB )容量的GDDR6RAM芯片。对于参数，三星表示，GDDR6的单芯片容量是上一代20nmGDDR5的两倍，速度也是两倍。即，16GbGDDR6的时隙比特率超过18Gbps，能够得到合计72GB/s的数据传输速率。在生产过程中，三星只响应10nm级过程(10nm~19nm )，据推测可能是14nm。
另一个GDDR6与GDDR5RAM相比，具有电压从1.55V进一步下降1.35V的优点，三星的功耗不会减少35%。
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